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MBR20H90CTG & MBR20H100CTG
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88856
Revision: 25-Mar-08
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3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
0.1 0.3
1.1
0.5
100
10
0.1
0.01
1
0.7 0.9
TJ
= 100 °C
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 175 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= - 40 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
1
0.1
10
100
10 000
0.01
20 40 60
80 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
1000
TJ
= 100 °C
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
1 10010
100
1000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
0.01
10
1
100
10
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
100
0.1
TO-220AB
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.415 (10.54) MAX.
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
PIN
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.035 (0.90)
0.028
(0.70)
0.154 (3.91)
0.148
(3.74)
1
3
2
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148
(29.16)
1.118
(2
8.40)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
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